HfO 2 因其独特的铁电性能和兼容性，已成为抗辐照大规模存储器的新型材料。然而，HfO 2 铁电相容易受到氧空位与电荷的影响，使其在高辐照环境下面临着铁电特性分散化的潜在威胁，因此 ...

As a part of JST PRESTO program, Associate professor Masaharu Kobayashi, Institute of Industrial Science, the University of Tokyo, has developed a ferroelectric FET (FeFET) with ferroelectric-HfO 2 ...

HfO2 材料，是集成电路互补金属氧化物半导体（CMOS，Complementary Metal Oxide Semiconductor）工艺中常用的一种 high-k 材料，制备工艺较为成熟。 因此，当学界在 HfO2 基材料中发现铁电特性之后，氧化铪 ...

一週空いたが、IEDM 2024の第5弾は、24-3の"Gate oxide module development for scaled GAA 2D FETs enabling SS<75mV/d and record Idmax>900μA/μm at Lg<50nm"である。インテルのプレビューでは下のスライドに相当する話だ。

本コラムの前回では、強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)がかつては「究極のメモリ」とも呼ばれ、数多くの半導体メモリ開発企業がFeRAMの開発に参入したことと、いくつかの弱点によって「次 ...

ここからが今回の発表の内容である。従来のMoS2にHfO2を積層するプロセスでは、Dangling Bond(原子における未結合手)が存在せず、このためHigh-Kでの膜形成が難しかったため、Low-Kでの膜形成層が ...